ASML 作为全球光刻机领域的领导者，其设备出口政策一直非常关注。据荷兰国家广播公司报道，ASML 向中国出口的 DUV 光刻机最近遭到质疑，外媒担忧这些设备可能被用于军事研发技术。具体而言，中国电子科技集团下属部门和深圳国际量子研究院近期分别采购了 ASML DUV 光刻机。外媒刻意渲染称，中国电科作为国企和军工核心单位，为航天火箭、无人机等生产核心设备，还在制造军用芯片；而深圳国际量子研究院涉及的量子技术也引起了荷兰军事情报部门的关注。尽管 ASML 强调所售设备分辨率只有约 38nm，属于 无法用来生产最先进芯片的旧技术，但这并未平息外界的担忧。

  ASML 首席执行官克里斯托夫・富凯在接受媒体采访时进一步明确了技术差距。他表示，目前 ASML 对华出口的设备比最新的高数值孔径光刻技术整整落后了八代，技术水平相当于 2013、2014 年销往西方客户的产品，技术差距超过十年。富凯同时警告称，如果西方过度收紧限制，将中国逼至绝境，反而会倒逼中国决心自主研发替代产品。从长远来看，这将导致西方彻底失去这一庞大市场。他提出了一个值得深思的问题：我们要把这种技术差距拉大到何种程度？是让中国落后 5 年、10 年，还是 15 年？

  在技术封锁的背景下，中国的自主研发进展成为各方关注的焦点。据外国媒体报道，中国一家秘密实验室已经悄然组装出第一台 EUV 极紫外光刻系统的原型机，这是通过逆向工程 ASML 现有的光刻机产品而来的，目前正处于秘密测试阶段。消息称，这一 EUV 光刻机原型于 2025 年初在深圳一处安保严密的设施内组装完成，采用了与 ASML Twinscan NXE 系列光刻机相同的激光等离子体 (LPP) 技术，可产生波长为 13.5 纳米的极紫外光。这一技术路线的选择表明，中国团队至少整合了大量由 ASML 首创的核心技术。

  然而，中国 EUV 光刻机的研发仍面临诸多挑战。报道指出，尽管这台原型机已经具备极紫外光的生成能力，但尚未能制造出可用芯片。关键瓶颈在于，中国仍无法复刻出 ASML 的高精度光学系统，甚至无法将极紫外光精准投射到晶圆上，更谈不上完成光刻成像。同时，极紫外光源的功率指标也不清楚，这是决定光刻机能否实现量产的核心参数。此外，超高精度收集镜系统、照明光学系统、投影光学系统、晶圆存储系统、晶圆台、掩模台等光刻机核心部件的研发进度也均属未知。

  开发团队的构成也引起了关注。据报道，中国 EUV 光刻机的研发团队由前 ASML 工程师和应届大学毕业生组成，不仅聘请了 ASML 中国分公司的前员工，还吸纳了 ASML 在美国、欧洲、中国台湾的前雇员。例如，曾负责 ASML EUV 光源技术的林楠目前在中科院上海光学精密机械研究所带领团队开展研发，在短短 18 个月内就申请了 8 项 EUV 相关专利。为了保密，团队普遍都使用了假身份。

  关于量产时间表，团队的规划是希望能在 2028 年产出首批芯片原型，但外媒认为 2030 年才是更现实的时间节点。需要明确的是，高端光刻机的研发离不开精密光源、先进光学、超高精度机械、复杂控制系统软件、特种材料等多个领域技术的深度集成，而且所有系统都必须在纳米级公差范围内稳定、长时间运行。EUV 光刻机更是极为庞杂，包含超过 10 万个零部件，对其进行逆向复刻的难度堪比登天。

  ASML 在看到有关报道后也发表了声明：想要复刻我们的技术，这一想法能够理解，但真正付诸实践绝非易事。 这一表态既反映了 ASML 对自身技术壁垒的信心，也暗示了中国在光刻机领域面临的巨大挑战。返回搜狐，查看更加多